首页 >> 新聞中心 >>行業動態 >> TriQuint推出新型高性能GaAs射頻驅動放大器TQP7M9105、TQP7M9106
详细内容

TriQuint推出新型高性能GaAs射頻驅動放大器TQP7M9105、TQP7M9106

技術創新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司(納斯達克代碼:TQNT),推出兩款采用新封裝的1W和2W砷化鎵 (GaAs) 射頻驅動放大器--- TQP7M9105、TQP7M9106,它們在CDMA、WCDMA和LTE基站或類似應用中能夠提供一流的線性度、低功耗和先進的保護功能。這些高性能放大器具有極寬工作帶寬并且非常堅固,在操作范圍50到1500 MHz之間提供高性能。

 

TQP7M9105和TQP7M9106 是不斷發展壯大的TriQuint 第三代5V線性驅動放大器產品系列的最新成員。除了在蜂窩收發基站 (BTS) 應用中的卓越性能以外,它們同樣非常適用于遠程無線電頭端 (RRH) 和小蜂窩基站的射頻設計。

 

TQP7M9105提供1W(+30 dBm)的P1dB射頻輸出功率,增益為19.4 dB,輸出三階交調截取點(OIP3)為達到同類產品最高線性度的49 dBm,在+5 V電壓下耗電僅為220 mA。TQP7M9106提供2W(+33 dBm)的P1dB射頻輸出功率,增益為20.8 dB, 輸出三階交調截取點為大于競爭器件的50dBm,在+5 V電壓下耗電僅455 mA。這兩款器件都集成了片上電路,這使它們能夠達到工作模式為 A類但效率為 AB類的放大器的典型線性度。

 

另外這兩種產品還具有出色的耐電強度,能夠處理它們經常會遇到的“超出規范的”工作條件。例如,它們能夠提供射頻輸入過載保護和直流過壓保護。此外,它們的片上靜電放電 (ESD) 保護使它們能夠滿足嚴格的 1C類 HBM規范要求,這使它們能夠經受通常會在正常制造環境中遇到的大部分雜散電壓。這兩種產品采用符合RoHS標準的無鉛SOT-89 (TQP7M9105) 封裝和4x4mm QFN (TQP7M9106) 表面貼裝封裝。

 

技術細節:


TQP7M9105 50-1500 MHz射頻驅動放大器,1W (+30 dBm) P1dB 射頻輸出功率、+49 dBm OIP3、19dB 增益、片上射頻輸入過載、直流過壓和靜電放電保護;+5V 電源,220mA電流消耗;采用3引腳SOT-89封裝。

TQP7M9106 50-1500 MHz射頻驅動放大器,2W (+33dBm) P1dB 射頻輸出功率、+50 dBm OIP3、20dB 增益、片上射頻輸入過載、直流過壓和靜電放電保護;+5V 電源,455mA電流消耗;采用24引腳4x4mm QFN封裝。


Copyright 2014-2025,www.xxxxx.com,All rights reserved

只做放心好儀器!

技术支持: 天天向上(北京)網絡科技有限公司 | 管理登录
成在线人永久免费视频播放